Numărul de produs al producătorului:
TSM150P03PQ33 RGG
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM150P03PQ33 RGG-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 36A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3.1x3.1)
Inventar:
13380 Piese Noi Originale În Stoc
12896201
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM150P03PQ33 RGG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1829 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
27.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-PDFN (3.1x3.1)
Pachet / Carcasă
8-PowerWDFN
Numărul de bază al produsului
TSM150
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TSM150P03PQ33 RGGDKR-DG
TSM150P03PQ33 RGGCT-DG
TSM150P03PQ33RGGCT
TSM150P03PQ33RGGTR
TSM150P03PQ33 RGGCT
TSM150P03PQ33 RGGTR
TSM150P03PQ33RGGDKR
TSM150P03PQ33 RGGTR-DG
TSM150P03PQ33 RGGDKR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TSM033NB04CR RLG
MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
TSM2301BCX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
DMT3006LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
